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• 000 01306nam0 2200313 450

• 001 0000789345

• 005 20250711202700.0

• 010 __ |a 978-7-5606-7406-3 |d CNY37.00

• 100 __ |a 20250103d2024 em y0chiy50 ea

• 101 0_ |a chi

• 102 __ |a CN |b 610000

• 105 __ |a ak a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 晶圆级应变SOI技术 |A jing yuan ji ying bian SOI ji shu |f 戴显英, 苗东铭, 荆熠博著

• 210 __ |a 西安 |c 西安电子科技大学出版社 |d 2024.11

• 215 __ |a 150页 |c 图 |d 26cm

• 300 __ |a 国家自然科学基金项目资助

• 312 __ |a 英文并列题名取自封面

• 320 __ |a 有书目 (第142-150页)

• 330 __ |a 本书共分7章, 主要介绍SOI晶圆制备技术、SOI晶圆材料力学特性与结构特性、机械致晶圆级单轴应变SOI技术、高应力氮化硅薄膜致晶圆级应变SOI技术及其相关效应、高应力氮化硅薄膜致应变SOI晶圆制备、晶圆级应变SOI应变模型、晶圆级应变SOI应力分布的有限元计算。

• 333 __ |a 本书主要面向硅基应变半导体理论与技术领域的研究者, 同时也可作为本科微电子科学与工程专业和研究生微电子学与固体电子学专业相关课程的教学参考书

• 510 1_ |a Wafer level strain SOI technology |z eng

• 606 0_ |a 集成电路工艺 |A ji cheng dian lu gong yi

• 690 __ |a TN405 |v 5

• 701 _0 |a 戴显英 |A dai xian ying |4 著

• 701 _0 |a 苗东铭 |A miao dong ming |4 著

• 701 _0 |a 荆熠博 |A jing yi bo |4 著

• 801 _0 |a CN |b 湖北三新 |c 20250103

• 905 __ |a LIB |d TN405/30