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• 005 20181211182500.0

• 010 __ |a 978-7-302-47779-2 |d CNY68.00

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• 200 1_ |a 纳米级场效应晶体管建模与结构优化研究 |A Na Mi Ji Chang Xiao Ying Jing Ti Guan Jian Mo Yu Jie Gou You Hua Yan Jiu |f 靳晓诗，刘溪著

• 210 __ |a 北京 |c 清华大学出版社 |d 2017

• 215 __ |a 241页 |c 图 |d 26cm

• 330 __ |a 本书内容包括：纳米级场效应晶体管寄生电容模型、传统纳米级金属氧化物半导体场效应晶体管机理模型、新兴无结型场效应晶体管机理模型以及无结型场效应晶体管的结构优化。在建模的过程中，充分考虑了器件的具体结构和掺杂浓度等参数对器件工作特性的影响，系统建立了具有双栅、围栅等多栅结构的纳米级场效应晶体管的机理模型体系，并给出了深纳米级尺度下新兴无结场效应晶体管的优化方案。

• 606 0_ |a 场效应晶体管 |A Chang Xiao Ying Jing Ti Guan |x 建立模型 |x 研究

• 606 0_ |a 场效应晶体管 |A Chang Xiao Ying Jing Ti Guan |x 优化结构 |x 研究

• 690 __ |a TN3 |v 5

• 701 _0 |a 靳晓诗 |A Jin Xiao Shi |4 著

• 701 _0 |a 刘溪 |A Liu Xi |4 著

• 801 _0 |a CN |b LIB |c 20181211

• 905 __ |a LIB |d TN3/4