机读格式显示(MARC)

• 000 01999nam 2200349 450

• 001 0000801065

• 005 20250701174600.0

• 010 __ |a 978-7-111-76654-4 |d CNY119.00

• 100 __ |a 20241210d2024 em y0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c eng

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a a z 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 碳化硅功率模块设计 |A tan hua gui gong lv mo kuai she ji |e 先进性、鲁棒性和可靠性 |f (日)阿尔贝托·卡斯特拉齐，(意)安德里亚·伊拉斯等著 |g 曾正[等]译

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2024

• 215 __ |a 247页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 集成电路科学与工程丛书 |A Ji Cheng Dian Lu Ke Xue Yu Gong Cheng Cong Shu

• 304 __ |a 译者还有：孙鹏、牛富丽、邹铭锐

• 312 __ |a 封面英文题名：Sic power module design : performance，robustness and reliability

• 314 __ |a 阿尔贝托·卡斯特拉齐，(Alberto Castellazzi)，是日本京都先端科学大学的教授，他的研究集中在先进固态功率处理技术，包括宽禁带半导体器件的表征和应用。安德里亚·伊拉斯 (Andrea Irace)，是意大利那不勒斯费德里科二世大学的电子学教授，他的研究集中在宽禁带电力电子器件的建模和仿真。

• 330 __ |a 本书详细介绍了多芯片SiC MOSFET功率模块设计所面临的物理挑战及相应的工程解决方案，主要内容包括多芯片功率模块、功率模块设计及应用、功率模块优化设计、功率模块寿命评估方法、耐高温功率模块、功率模块先进评估技术、功率模块退化监测技术、功率模块先进热管理方案、功率模块新兴的封装技术等。本书所有章节均旨在提供关于多芯片SiC MOSFET功率模块定制开发相关的系统性指导，兼具理论价值和实际应用价值。

• 461 _0 |1 2001 |a 集成电路科学与工程丛书

• 510 1_ |a Sic power module design |e performance, robustness and reliability |z eng

• 517 1_ |a 先进性、鲁棒性和可靠性 |A xian jin xing 、lu bang xing he ke kao xing

• 606 0_ |a 功率半导体器件 |A Gong Lv Ban Dao Ti Qi Jian

• 690 __ |a TN303 |v 5

• 701 _0 |c (日) |a 卡斯特拉齐 |A ka si te la qi |c (Castellazzi, Alberto) |4 著

• 701 _0 |c (意) |a 伊拉斯 |A yi la si |c (Irace, Andrea) |4 著

• 702 _0 |a 曾正 |A zeng zheng |4 译

• 702 _0 |a 孙鹏 |A sun peng |4 译

• 801 _0 |a CN |b LIB |c 20250701

• 905 __ |a LIB |d TN303/51