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• 005 20250701180400.0

• 010 __ |a 978-7-111-76494-6 |d CNY199.00

• 100 __ |a 20241112d2024 em y0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c eng

• 102 __ |a CN |b 110000

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• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 半导体工艺可靠性 |A ban dao ti gong yi ke kao xing |f 甘正浩，(美)黄威森，(美)刘俊杰著 |g 杨兵译

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2024

• 215 __ |a 11,488页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 半导体与集成电路关键技术丛书 |A Ban Dao Ti Yu Ji Cheng Dian Lu Guan Jian Ji Shu Cong Shu

• 225 2_ |a 微电子与集成电路先进技术丛书 |A Wei Dian Zi Yu Ji Cheng Dian Lu Xian Jin Ji Shu Cong Shu

• 312 __ |a 封面英文题名：Semiconductor process reliability in practice

• 330 __ |a 本书分为12章，包括基本器件物理学、MOS制造工艺流程、用于器件可靠性表征的测量、热载流子注入、栅极氧化层完整性（GOI）和随时间变化的介质击穿（TDDB)、负偏置温度不稳定性、等离子体诱导的损伤、集成电路的静电放电保护、电迁移、应力迁移和金属间介质击穿。书中除了对工艺可靠性问题进行了理论的描述和分析外，同时还给出了相应测试的实际例子。

• 461 _0 |1 2001 |a 半导体与集成电路关键技术丛书

• 461 _0 |1 2001 |a 微电子与集成电路先进技术丛书

• 510 1_ |a Semiconductor process reliability in practice |z eng

• 606 0_ |a 半导体工艺 |A Ban Dao Ti Gong Yi |x 可靠性

• 690 __ |a TN305 |v 5

• 701 _0 |a 甘正浩 |A gan zheng hao |4 著

• 701 _0 |c (美) |a 黄威森 |A huang wei sen |c (Wong, Waisum) |4 著

• 701 _0 |c (美) |a 刘俊杰 |A liu jun jie |c (Liou, Juin J.) |4 著

• 702 _0 |a 杨兵 |A yang bing |4 译

• 801 _0 |a CN |b LIB |c 20250701

• 905 __ |a LIB |d TN305/29