机读格式显示(MARC)

• 000 01226nam 22003131 450

• 001 0000331839

• 005 20141016155700.0

• 010 __ |a 978-7-03-039330-2 |d CNY150.00

• 100 __ |a 20141016e2014 emky0chiy50 ba

• 101 0_ |a eng

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a ak a 001yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a Through-silicon vias for 3D integration |A Through-silicon vias for 3D integration |d = 硅通孔3D集成技术 |f (美) John H. Lau著 |g 曹立强, 秦飞, 王启东中文导读 |z chi

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2014

• 215 __ |a xxxxvi, 487页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 信息科学技术学术著作丛书 |A Xin Xi Ke Xue Ji Shu Xue Shu Zhu Zuo Cong Shu

• 320 __ |a 有书目和索引

• 330 __ |a 本书系统讨论用于电子、光电子和MEMS器件的三维集成硅通孔(TSV)技术的最新进展和未来可能的演变趋势，同时详尽讨论三维集成关键技术中存在的主要工艺问题和可能的解决方案。

• 410 _0 |1 2001 |a 信息科学技术学术著作丛书

• 510 1_ |a 硅通孔3D集成技术 |z chi

• 606 0_ |a 硅基材料 |A Gui Ji Cai Liao |x 英文

• 690 __ |a TN405 |v 4

• 701 _1 |a 刘汉诚 |A Liu Han Cheng |g (Lau, John H.) |4 著

• 702 _0 |a 王启东 |A Wang Qi Dong |4 中文导读

• 702 _0 |a 秦飞 |A Qin Fei |4 中文导读

• 702 _0 |a 曹立强 |A Cao Li Qiang |4 中文导读

• 801 _0 |a CN |b 安徽新华

• 905 __ |a LIB |d TN405/8