机读格式显示(MARC)

• 000 01923nam 2200301 450

• 001 0000537167

• 005 20210913142100.0

• 010 __ |a 978-7-5684-1424-1 |d CNY38.00

• 100 __ |a 20210114d2020 em y0chiy0110 ba

• 101 0_ |a eng

• 102 __ |a CN |b 320000

• 105 __ |a ak a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a Studies on plasma assisted molecular beam epitaxial growth of GaN-based multilayer heterostructures on Si for photodetector application |A Studies On Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxial Growth Of Gan-based Multilayer Heterostructures On Si For Photodetector Application |d = 硅基氮化镓光电探测器的多层异质外延生长研究 |f 郑益著 |z chi

• 210 __ |a 镇江 |c 江苏大学出版社 |d 2020

• 215 __ |a 195页 |c 图 |d 22cm

• 225 2_ |a 光电材料器件测试及控制技术系列丛书 |A guang dian cai liao qi jian ce shi ji kong zhi ji shu xi lie cong shu

• 306 __ |a 常州市国际合作计划项目 (CZ20180015) 江苏省品牌专业二期建设项目 (苏教高函 [2020] 9号) 江苏省第16批“六大人才高峰”高层次人才培养对象 (XCL-152) 常州工学院自然科学基金资助项目 (E3-6207-20-037) 资助出版

• 314 __ |a 郑益, 江苏常州人, 本科毕业于吉林大学微电子系, 硕士、博士就读于新加坡南洋理工大学电气与电子工程学院。

• 320 __ |a 有书目 (第155-193页)

• 330 __ |a 本书为英文图书, 研究了氮化铝缓冲层对氮化镓外延层表面形貌和晶体质量的影响, 讨论了氮化镓异质外延生长中镓扩散到硅衬底中并溶解形成镓-硅合金的途径, 最终经过优化得以实现利用等离子辅助分子束外延在硅 (111) 衬底上生长出无微晶的光滑氮化镓外延层。作者在优化过程中发现了非晶氮化硅薄层在镓/硅扩散中的阻挡缓冲作用, 并利用此缓冲层优化了氮化铝镓的外延生长, 最终实现了总厚度高达1.4μm氮化镓和氮化铝镓无裂纹外延层的生长。

• 410 _0 |1 2001 |a 光电材料器件测试及控制技术系列丛书

• 510 1_ |a 硅基氮化镓光电探测器的多层异质外延生长研究 |z chi

• 606 0_ |a 硅基材料 |A gui ji cai liao |x 氮化镓 |x 光电探测器 |x 研究 |x 英文

• 690 __ |a TN215 |v 5

• 701 _0 |a 郑益 |A zheng yi |4 著

• 801 _0 |a CN |b LIB |c 20210913

• 905 __ |a LIB |d TN215/7