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- 000 01311nam0 2200289 450
- 010 __ |a 978-7-118-10284-0 |d CNY89.00
- 100 __ |a 20151103d2015 em y0chiy0110 ea
- 200 1_ |a 大气中子在先进存储器件中引起的软错误 |A Da Qi Zhong Zi Zai Xian Jin Cun Chu Qi Jian Zhong Yin Qi De Ruan Cuo Wu |d = Terrestrial neutron-induced soft errors in advanced memory devices |f (日)中村刚史[等]著 |g 陈伟[等]译 |z eng
- 210 __ |a 北京 |c 国防工业出版社 |d 2015
- 215 __ |a 15,219页 |c 图 |d 24cm
- 304 __ |a 著者还有:(日)马场守、(日)伊部英治、(日)矢作康夫、(日)龟山英明
- 304 __ |a 译者还有:石绍柱、宋朝晖、王晨辉
- 305 __ |a 由World Scientific Co. Pte. Ltd.授权出版
- 330 __ |a 本书详细介绍了大气层中子在先进存储器件中引起的单粒子效应的研究内容。书中涵盖了大气层中子辐射环境、中子探测原理、中子辐照模拟装置、中子引起的单粒子效应物理机理、实验方法、数值模拟,以及国际上的一些标准规范等。
- 510 1_ |a Terrestrial neutron-induced soft errors in advanced memory devices |z eng
- 606 0_ |a 中子 |A Zhong Zi |x 研究
- 701 _0 |c (日) |a 中村刚史 |A Zhong Cun Gang Shi |4 著
- 702 _0 |a 陈伟 |A Chen Wei |c (核技术) |4 译
- 801 _0 |a CN |b LIB |c 20180331
- 905 __ |a LIB |d O572.3/5