机读格式显示(MARC)

• 000 02144nam 2200349 450

• 001 0000790387

• 005 20250614185100.0

• 010 __ |a 978-7-111-74202-9 |d CNY89.00

• 100 __ |a 20240115d2024 em y0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c jpn

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a ak a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 半导体干法刻蚀技术 |A ban dao ti gan fa ke shi ji shu |f (日) 野尻一男著 |g 王文武 ... [等] 译

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2024.1

• 215 __ |a x, 161页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 集成电路科学与工程丛书 |A ji cheng dian lu ke xue yu gong cheng cong shu

• 304 __ |a 题名页题: 王文武, 许恒宇, 王盛凯, 李俊杰, 万彩萍等译; 封面题: 王文武, 许恒宇, 王盛凯等译

• 305 __ |a 译自原书第2版

• 306 __ |a 本书中文简体字版由Gijutsu-Hyoron Co., Ltd.授权机械工业出版社出版

• 314 __ |a 野尻一男, 1973年于群马大学工学部电子工学科本科毕业, 1975年于群马大学工学研究科硕士毕业。1975年加入日立制作所, 在半导体事业部从事CVD、器件集成、干法刻蚀的研究开发; 特别是对ECR等离子刻蚀和充电损伤进行了开创性研究; 作为技术开发领域的领导者, 他还担任过多个管理职位。王文武, 研究员、博士生导师, 现任职于中国科学院重大科技任务局。2006年于日本东京大学获得工学博士学位。长期致力于集成电路先进工艺与器件技术研究。许恒宇, 研究员、博士生导师, 曾任职于中国科学院微电子研究所。2006年本科毕业于四川大学微电子学专业, 同年留学日本。长期致力于功率半导体器件的仿真设计、工艺开发整合和可靠性失效机理分析等工作。

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书不仅介绍了半导体器件中所涉及材料的刻蚀工艺, 而且对每种材料的关键刻蚀参数、对应的等离子体源和刻蚀气体化学物质进行了详细解释。本书讨论了具体器件制造流程中涉及的干法刻蚀技术, 介绍了半导体厂商实际使用的刻蚀设备的类型和等离子体产生机理, 例如电容耦合型等离子体、磁控反应离子刻蚀、电子回旋共振等离子体和电感耦合型等离子体, 并介绍了原子层沉积等新型刻蚀技术。

• 333 __ |a 本书适用于半导体干法刻蚀技术学习者

• 410 _0 |1 2001 |a 集成电路科学与工程丛书

• 606 0_ |a 半导体技术 |A ban dao ti ji shu |x 干法刻蚀

• 690 __ |a TN305 |v 5

• 701 _0 |a 野尻一男, |A ye kao yi nan |f 1973- |4 著

• 702 _0 |a 王文武 |A wang wen wu |4 译

• 702 _0 |a 许恒宇 |A xu heng yu |4 译

• 801 _0 |a CN |b 湖北三新 |c 20240115

• 905 __ |a LIB |d TN305/24