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• 200 1_ |a 功率半导体器件基础 |A gong lv ban dao ti qi jian ji chu |d Fundamentals of power semiconductor devices |e 英文版 |f (美)B. Jayant Baliga著 |z eng

• 205 __ |a 影印版

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2012.06

• 215 __ |a 17,1065页 |d 24cm

• 300 __ |a 国外信息科学与技术优秀图书系列 半导体科学与技术

• 305 __ |a 由施普林格科学商业媒体授权出版

• 330 __ |a 本书结合作者多年的实践经验，深入讨论了半导体功率器件的物理模型、工作原理、设计原则和应用特性，不仅详细介绍了硅基器件，还讨论了碳化硅器件的特性与设计要求。主要内容包括材料特性与输运物理、击穿电压、肖特基整流器、P-i-N整流器、功率MOSFET器件、双极型晶体管、晶闸管、IGBT器件等。

• 510 1_ |a Fundamentals of power semiconductor devices |z eng

• 606 0_ |a 功率半导体器件 |A Gong Lv Ban Dao Ti Qi Jian |j 英文

• 690 __ |a TN303 |v 4

• 701 _0 |a 巴利伽 |A ba li ga |4 著

• 801 _0 |a CN |b 安徽新华 |c 20130909

• 905 __ |a LIB |d TN303/21

• 905 __ |a LIB |d TN303/22

• 915 __ |d TN303 |e 21 |b 2336348-49 |f 2