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• 000 01152nam2 2200337 4500

• -01 __gzk1011375

• -09 __zyk0237568

• -98 __ls06

• -99 __tsg01

• 001 0000236495

• 005 20121127155609.5

• 010 __ |a 978-7-121-12809-7 |d CNY45.00

• 100 __ |a 20110321d2011 em y0chiy0110 ea

• 101 0_ |a chi

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a y z 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 微电子器件 |A wei dian zi qi jian |f 陈星弼, 张庆中, 陈勇编著

• 205 __ |a 第3版

• 210 __ |a 北京 |c 电子工业出版社 |d 2011

• 215 __ |a 11, 304页 |d 26cm

• 300 __ |a 普通高等教育“十一五”国家级规划教材 电子科学与技术专业规划教材

• 330 __ |a 本书首先介绍半导体器件基本方程。在此基础上,全面地介绍PN结二极管、双极结型晶体管(BJT)和绝缘栅场效应晶体管(MOSFET)的基本结构、基本原理、工作特性和SPICE模型。还介绍了主要包括HEMT和HBT的异质结器件。

• 606 0_ |a 微电子技术 |A Wei Dian Zi Ji Shu |x 电子器件 |x 高等教育 |j 教材

• 690 __ |a TN4 |v 4

• 701 _0 |a 陈勇 |A chen yong |4 编著

• 701 _0 |a 张庆中 |A zhang qing zhong |4 编著

• 701 _0 |a 陈星弼 |A chen xing bi |4 编著

• 801 _0 |a CN |b 安徽新华 |c 20121127

• 905 __ |a ASTU |d TN4/32

• 915 __ |b 2193041-43 |d TN4 |e 32 |f 3