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• 010 __ |a 978-7-5606-5906-0 |b 精装 |d CNY88.00

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• 200 1_ |a 氮化镓基半导体异质结构及二维电子气 |A dan hua jia ji ban dao ti yi zhi jie gou ji er wei dian zi qi |d = Gab based semiconductor heterostructures and two dimensional electron gas |f 沈波, 唐宁著 |z eng

• 210 __ |a 西安 |c 西安电子科技大学出版社 |d 2021.04

• 215 __ |a 378页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 宽禁带半导体前沿丛书 |A kuan jin dai ban dao ti qian yan cong shu

• 300 __ |a 国家出版基金项目

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书基于国内外GaN基电子材料和器件的发展现状和趋势, 从晶体结构、能带结构、衬底材料、外延生长、射频电子器件和功率电子器件研制等方面详细论述了GaN基半导体异质结构和二维电子气的物理性质、国内外发展动态、面临的关键科学技术问题、主要的材料和器件研发成果及其应用情况和发展前景。

• 410 _0 |1 2001 |a 宽禁带半导体前沿丛书

• 510 1_ |a Gab based semiconductor heterostructures and two dimensional electron gas |z eng

• 606 0_ |a 氮化镓 |A dan hua jia |x 半导体材料 |x 异质结

• 606 0_ |a 氮化镓 |A dan hua jia |x 半导体材料 |x 物理性质

• 690 __ |a TN304 |v 5

• 701 _0 |a 沈波 |A shen bo |4 著

• 701 _0 |a 唐宁 |A tang ning |4 著

• 801 _0 |a CN |b 安徽时代 |c 20210527

• 905 __ |a LIB |d TN304/19