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• 005 20230618195300.0

• 010 __ |a 978-7-5606-6444-6 |b 精装 |d CNY128.00

• 100 __ |a 20221005d2022 em y0chiy50 ea

• 101 0_ |a chi

• 102 __ |a CN |b 610000

• 105 __ |a a z 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 宽禁带半导体氧化镓 |A kuan jin dai ban dao ti yang hua jia |b 专著 |e 结构、制备与性能 |d Wide bandgap gallium oxide semiconductor |e structure, growth and physical properties |f 陶绪堂[等]编著 |z eng

• 210 __ |a 西安 |c 西安电子科技大学出版社 |d 2022

• 215 __ |a 316页 |c 图 |d 25cm

• 225 2_ |a 宽禁带半导体前沿丛书 |A Kuan Jin Dai Ban Dao Ti Qian Yan Cong Shu

• 300 __ |a 国家出版基金项目

• 304 __ |a 编著还有：穆文祥、贾志泰、叶建东

• 330 __ |a 氧化镓作为新型的宽禁带半导体材料，在高压功率器件、深紫外光电探测、高亮度LED等方面都具有重要的应用前景。本书从氧化镓半导体材料的发展历程、材料特性、材料制备原理与技术及电学性质调控等几个方面做了较全面的介绍。重点梳理了作者及国内外同行在单晶制备方法、衬底加工、纳米结构及薄膜外延方面的研究成果。系统阐述了获得高质量体块单晶、纳米结构材料及薄膜的思路和方法，并对氧化镓材料的发展进行了综述和展望。

• 461 _0 |1 2001 |a 宽禁带半导体前沿丛书

• 510 1_ |a Wide bandgap gallium oxide semiconductor |e structure, growth and physical properties |z eng

• 517 1_ |a 结构、制备与性能 |A jie gou 、zhi bei yu xing neng

• 606 0_ |a 禁带 |A Jin Dai |x 氧化镓 |x 半导体材料

• 690 __ |a TN304 |v 5

• 701 _0 |a 陶绪堂 |A tao xu tang |4 编著

• 701 _0 |a 穆文祥 |A mu wen xiang |4 编著

• 701 _0 |a 贾志泰 |A jia zhi tai |4 编著

• 801 _0 |a CN |b LIB |c 20230618

• 905 __ |a LIB |d TN304/21