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• 010 __ |a 978-7-308-22915-9 |d CNY49.00

• 100 __ |a 20230327d2022 em y0chiy0110 ea

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• 102 __ |a CN |b 330000

• 105 __ |a a z 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 宽禁带化合物半导体材料与器件 |A kuan jin dai hua he wu ban dao ti cai liao yu qi jian |d Wide band gap compound semiconductor materials and devices |f 朱丽萍[等]编著 |z eng

• 205 __ |a 2版

• 210 __ |a 杭州 |c 浙江大学出版社 |d 2022

• 215 __ |a 214页 |c 图 |d 26cm

• 300 __ |a 高等院校材料专业系列规划教材 材料科学与工程

• 304 __ |a 编著还有：何海平、潘新花、叶志镇

• 330 __ |a 本书共10章，主要内容为：绪论；化合物半导体材料基础；化合物半导体中的缺陷；宽带隙半导体发光；化合物半导体器件基本原理，包括pn结、超晶格与量子阱；宽带隙化合物半导体材料及其器件的应用，主要介绍SiC、GaN、ZnO和Ga2O3的研究现状。

• 510 1_ |a Wide band gap compound semiconductor materials and devices |z eng

• 606 0_ |a 禁带 |x 化合物半导体 |x 半导体材料 |x 高等学校 |j 教材

• 606 0_ |a 禁带 |x 化合物半导体 |x 半导体器件 |x 高等学校 |j 教材

• 690 __ |a TN304.2 |v 5

• 701 _0 |a 朱丽萍 |A zhu li ping |c (女， |f 1966-) |4 编著