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• 010 __ |a 978-7-5606-7385-1 |b 精装 |d CNY108.00

• 100 __ |a 20241122d2024 em y0chiy50 ea

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• 102 __ |a CN |b 610000

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• 200 1_ |a 氮化镓半导体材料及器件 |A dan hua jia ban dao ti cai liao ji qi jian |d = Gallium nitride semiconductor materials and devices |f 张进成 ... [等] 著 |z eng

• 210 __ |a 西安 |c 西安电子科技大学出版社 |d 2024.10

• 215 __ |a 329页, [4] 页图版 |c 图 (部分彩图) |d 25cm

• 225 2_ |a 宽禁带半导体前沿丛书 |A kuan jin dai ban dao ti qian yan cong shu

• 304 __ |a 题名页题: 张进成, 许晟瑞, 张雅超, 陶鸿昌, 张涛等著

• 330 __ |a 本书通过理论介绍与具体实验范例相结合的方式对氮化物半导体材料的测试表征技术进行了介绍, 并以氮化物材料为基础系统地介绍了目前广泛应用的氮化物光电与电子器件, 使读者能够充分了解二者之间内在的联系与区别。全书共8章, 包括氮化物材料基本特性及外延生长技术、新型氮化物异质结构设计及制备、氮化物材料的测试表征技术、氮化物蓝光LED材料与器件、氮化物紫外和深紫外LED材料与器件、氮化镓基二极管、氮化镓基三极管。

• 333 __ |a 本书可作为微电子器件领域本科生和研究生的入门参考资料, 也可供在相关领域从事科研和研发的从业人员参考

• 410 _0 |1 2001 |a 宽禁带半导体前沿丛书

• 510 1_ |a Gallium nitride semiconductor materials and devices |z eng

• 606 0_ |a 氮化镓 |A dan hua jia |x 半导体材料

• 690 __ |a TN304 |v 5

• 701 _0 |a 张进成 |A zhang jin cheng |4 著

• 701 _0 |a 许晟瑞 |A xu sheng rui |4 著

• 701 _0 |a 张雅超 |A zhang ya chao |4 著

• 801 _0 |a CN |b 湖北三新 |c 20241122

• 905 __ |a LIB |d TN304/30