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• 005 20240122195913.0

• 010 __ |a 978-7-5767-0544-7 |b 精装 |d CNY128.00

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• 200 1_ |a 半导体材料及器件辐射缺陷与表征方法 |A ban dao ti cai liao ji qi jian fu she que xian yu biao zheng fang fa |d Characterization methods for radiation induced defects in semiconductor materials and devices |f 李兴冀等编著 |z eng

• 210 __ |a 哈尔滨 |c 哈尔滨工业大学出版社 |d 2023

• 215 __ |a 401页 |c 图 |d 24cm

• 300 __ |a 国家出版基金项目 国家出版基金资助项目

• 300 __ |a 材料与器件辐射效应及加固技术研究著作

• 304 __ |a 编著者还有：杨剑群、徐晓东、应涛

• 330 __ |a 本书共分为4章：第1章为半导体物理基础，介绍缺陷相关理论；第2章介绍半导体材料器件与原始缺陷；第3章在辐射物理基础上，介绍了辐射诱导缺陷形成与演化、缺陷性质等模拟仿真方法及应用；第4章介绍半导体材料与器件缺陷表征与分析的常用方法。

• 510 1_ |a Characterization methods for radiation induced defects in semiconductor materials and devices |z eng

• 606 0_ |a 半导体材料 |x 研究

• 606 0_ |a 半导体器件 |x 研究

• 690 __ |a TN304 |v 5

• 690 __ |a TN303 |v 5

• 701 _0 |a 李兴冀 |A li xing ji |4 编著

• 801 _0 |a CN |b 辽批 |c 20240125