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• 010 __ |a 978-7-5680-5903-9 |d CNY48.00

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• 200 1_ |a Growth and characterization of Ga2O3-based widebandgap semiconductor films |A Growth And Characterization Of Ga2o3-based Widebandgap Semiconductor Films |f 张法碧(Zhang Fabi)著

• 210 __ |a 武汉 |c 华中科技大学出版社 |d 2020

• 215 __ |a 158页 |c 图 |d 24cm

• 304 __ |a 正题名中2为Ga的右下角标 3为O的右下角标

• 312 __ |a 中文并列题名取自版权页

• 314 __ |a 责任者Fabi Zhang规范汉译姓名: 张法碧

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书主要研究了新一带超宽禁带半导体材料-氧化镓的基本性质; 全书从氧化镓的基本性质与国内外研究现状入手, 详细论述了氧化镓生长质量的影响因素; 论述了利用掺杂来氧化镓电导率调制的方法与机制; 论述了分别利用氧化铟和氧化铝和氧化镓来形成合金从而调节其禁带宽度的方法与机制。

• 510 1_ |a 基于氧化镓的超宽禁带半导体薄膜生长与表征 |z chi

• 606 0_ |a 半导体薄膜技术 |A ban dao ti bao mo ji shu |x 研究 |x 英文

• 690 __ |a TN304.055 |v 5

• 701 _0 |a 张法碧 |A zhang fa bi |4 著

• 801 _0 |a CN |b LIB |c 20210914

• 905 __ |a LIB |d TN304.055/2