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- 000 01215nam0 2200241 450
- 010 __ |a 978-7-5767-0541-6 |b 精装 |d CNY98.00
- 100 __ |a 20231011d2023 em y0chiy50 ea
- 200 1_ |a 宇航MOSFET器件单粒子辐射加固技术与实践 |A yu hang MOSFET qi jian dan li zi fu she jia gu ji shu yu shi jian |d Single event effect hardening technique and practice on aerospace power mosfets |f 付晓君[等]编著 |z eng
- 210 __ |a 哈尔滨 |c 哈尔滨工业大学出版社 |d 2023
- 215 __ |a 250页 |c 图 |d 24cm
- 300 __ |a 国家出版基金项目 国家出版基金资助项目 材料与器件辐射效应及加固技术研究著作
- 330 __ |a 本书共6章,主要内容包括空间辐射环境与基本辐射效应、宇航MOSFET器件的空间辐射效应及损伤模型、宇航MOSFET器件抗单粒子辐射加固技术、宇航MOSFET器件测试技术与辐照试验,并以一款宇航VDMOS器件为实例,详述了抗单粒子加固样品的结构设计和制造工艺细节,最后介绍宇航MOSFET器件的应用及发展趋势。
- 510 1_ |a Single event effect hardening technique and practice on aerospace power mosfets |z eng
- 606 0_ |a 功率MOSFET |x 辐射防护 |x 研究
- 701 _0 |a 付晓君 |A fu xiao jun |4 编著
- 801 _0 |a CN |b 辽批 |c 20231105