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• 000 01764nam 2200289 450

• 001 0000802119

• 005 20250701111600.0

• 010 __ |a 978-7-5770-1257-5 |d CNY60.00

• 100 __ |a 20250225d2025 em y0chiy50 ea

• 101 0_ |a chi

• 102 __ |a CN |b 510000

• 105 __ |a a z 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 二维半导体的滑移铁电物理及器件特性研究 |A er wei ban dao ti de hua yi tie dian wu li ji qi jian te xing yan jiu |d Sliding ferroelectric physics and device characteristic of two-dimensional semiconductors |f 卞仁吉，刘富才著 |z eng

• 210 __ |a 成都 |c 电子科技大学出版社 |d 2025

• 215 __ |a 141页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 博士论丛 |A Bo Shi Lun Cong

• 314 __ |a 卞仁吉，1993年生，电子科技大学光学工程专业博士，现为杭州积海半导体有限公司资深工程师; 主要研究方向为新型二维铁电材料及高密度存储器件。刘富才，1986年生，南开大学物理学专业博士，现为电子科技大学光电科学与工程学院教授，国家级青年人才、四川省学术与技术带头人; 主要研究方向为新型低维材料与类脑智能器件研究。

• 330 __ |a 本书以最新的科研成果为基础，深入研究了新铁电极化机制的滑移铁电半导体。通过对大量实验数据的分析和理论推导，揭示了滑移铁电半导体的独特性质和应用潜力。同时，结合国内外相关领域的研究进展，为读者提供全面、系统的知识体系。本书通过对多层滑移铁电半导体的深入研究，揭示了其独特的铁电极化翻转模式，即铁电极化在各层之间以逐层翻转的方式进行，结合界面极化解耦合的特性，实现了2的n-1次方的极化态，为设计多态铁电存储器件提供了创新思路。

• 461 _0 |1 2001 |a 博士论丛

• 510 1_ |a Sliding ferroelectric physics and device characteristic of two-dimensional semiconductors |z eng

• 606 0_ |a 铁电器件 |A Tie Dian Qi Jian |x 研究

• 690 __ |a TN384 |v 5

• 701 _0 |a 卞仁吉 |A bian ren ji |f (1993-) |4 著

• 701 _0 |a 刘富才 |A liu fu cai |f (1986-) |4 著

• 801 _0 |a CN |b LIB |c 20250701

• 905 __ |a LIB |d TN384/3