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• 005 20170313105700.0

• 010 __ |a 978-7-03-047340-0 |b 精装 |d CNY178.00

• 100 __ |a 20160414d2016 em y0chiy0110 ea

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• 200 1_ |a 半导体激光器能带结构和光增益的量子理论 |A ban dao ti ji guang qi neng dai jie gou he guang zeng yi de liang zi li lun |h 上册 |f 郭长志编著

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2016

• 215 __ |a 479页 |c 图 |d 25cm

• 225 2_ |a 半导体激光器设计理论 |A ban dao ti ji guang qi she ji li lun |h Ⅲ

• 306 __ |a 国家科学技术学术著作出版基金资助出版

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书讨论了达到设计所需精度的量子阱、量子线、和量子点的电子能带和能级的量子理论和设计计算, 带间和子带间光跃迁几率和光增益的半径典量子理论和设计, 应变效应及其对各维能带结构的影响、温度效应T0问题的物理机制, 特别是俄歇复合的量子理论及其克服方案和设计,量子阱间耦合、载流子落入和逃逸时间的理论和设计。子带间量子级联激光器的理论和设计, 其真正优点和局限性。扼要介绍全量子理论的量子光学和自发发射等理论问题。

• 461 _0 |1 2001 |a 半导体激光器设计理论 |h Ⅲ

• 606 0_ |a 半导体激光器 |A ban dao ti ji guang qi |x 能带结构 |x 量子论

• 606 0_ |a 半导体激光器 |A ban dao ti ji guang qi |x 激光 |x 增益 |x 量子论

• 606 0_ |a 半导体激光器 |A ban dao ti ji guang qi

• 606 0_ |a 能带结构 |A neng dai jie gou

• 690 __ |a TN248.4 |v 5

• 701 _0 |a 郭长志 |A guo chang zhi |4 编著

• 801 _0 |a CN |b LIB |c 20170313

• 905 __ |a LIB |d TN248.4/3:1