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• 005 20190926125600.0

• 010 __ |a 978-7-111-59391-1 |d CNY99.00

• 100 __ |a 20181129d2018 em y0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c eng

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a a z 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a CMOS及其他先导技术 |A CMOS ji qi ta xian dao ji shu |e 特大规模集成电路设计 |d CMOS and beyond |e logic switches for terascale integrated circuits |f (美)刘金(Tsu-Jae King Liu)，(美)科林·库恩(Kelin Kuhn)等著 |g 雷鑑铭等译 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2018

• 215 __ |a 10,329页 |c 图 |d 24cm

• 225 1_ |a 电子电气工程师技术丛书 |A Dian Zi Dian Qi Gong Cheng Shi Ji Shu Cong Shu

• 306 __ |a 与剑桥大学出版社合作出版

• 330 __ |a 本书概述现代CMOS晶体管的技术发展，提出新的设计方法来改善晶体管性能存在的局限性。分四部分。第一部分回顾了芯片设计的注意事项以及具有更大亚阈值摆幅的器件；第二部分涵盖了利用量子力学隧道效应作为开关原理来实现更陡峭亚阈值摆幅的各种器件设计；第三部分涵盖了利用替代方法实现更高效开关性能的器件；第四部分涵盖了利用磁效应或电子自旋携带信息的器件。

• 461 _0 |1 2001 |a 电子电气工程师技术丛书

• 510 1_ |a CMOS and beyond |e logic switches for terascale integrated circuits |z eng

• 517 1_ |a 特大规模集成电路设计 |A te da gui mo ji cheng dian lu she ji

• 606 0_ |a CMOS电路 |A Cmos Dian Lu |x 电路设计

• 690 __ |a TN432.02 |v 5

• 701 _0 |c (美) |a 刘金 |A liu jin |c (Liu, Tsu-Jae King) |4 著

• 701 _0 |c (美) |a 库恩 |A ku en |c (Kuhn, Kelin) |4 著

• 702 _0 |a 雷鑑铭 |A lei jian ming |4 译

• 801 _0 |a CN |b LIB |c 20190926

• 905 __ |a LIB |d TN432.02/10