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• 000 01247nam2 2200361 4500

• -01 __gzk0318789

• -09 __zyk0202070

• -98 __bm4

• -99 __tsg01

• 001 0000202045

• 005 20101123152318.5

• 010 __ |a 978-7-118-06562-6 |d CNY34.00

• 100 __ |a 20100520d2010 em y0chiy0110 ea

• 101 0_ |a chi

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a ak a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 半导体物理学 |9 ban dao ti wu li xue |f 刘恩科, 朱秉升, 罗晋生等编著

• 205 __ |a 4版

• 210 __ |a 北京 |c 国防工业出版社 |d 2010

• 215 __ |a 406页 |c 图 |d 26cm

• 300 __ |a 高等学校工科电子类规划教材

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书全面地论述了半导体物理的基础知识, 内容包括半导体的晶格结构, 半导体中的电子状态, 杂质和缺陷能级, 载流子的统计分布, 非平衡载流子及载流子的运动规律; 讨论了p-n结, 异质结, 金属半导体接等问题; 介绍了半导体的光、热、磁、压阻等物理现象; 最后介绍了非晶态半导体的基本特性。

• 606 0_ |a 半导体物理学 |9 ban dao ti wu li xue |x 高等学校 |j 教材

• 606 0_ |a 半导体物理学 |9 ban dao ti wu li xue

• 690 __ |a O47 |v 4

• 701 _0 |a 刘恩科 |9 liu en ke |4 编著

• 701 _0 |a 朱秉升 |9 zhu bing sheng |4 编著

• 701 _0 |a 罗晋生 |9 luo jin sheng |4 编著

• 801 __ |c 20101118

• 905 __ |a ASTU |d O47/8

• 915 __ |a ASTU |d O47 |e 8 |b 1703046-8