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• 000 01148nam2 2200325 450

• -99 __tsg01

• -98 __bm5

• -09 __zyk0244035

• -01 __gzk0415382

• 001 0000242962

• 005 20131206152500.0

• 010 __ |a 978-7-03-034382-6 |d CNY80.00

• 100 __ |a 20131017e2012 em y0chiy0110 ea

• 101 0_ |a eng |g chi

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a a z 001yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 纳米电子学基础 |A Na Mi Dian Zi Xue Ji Chu |d = Fundamentals of nanoelectronics |e [英文本] |f George W. Hanson [著] |z eng

• 205 __ |a 影印版

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2012

• 215 __ |a 13, 385页 |c 图 |d 24cm

• 300 __ |a 国外电子信息精品著作（影印版）

• 330 __ |a 本书分三个部分，分别在纳米物理学、单电子效应和多电子效应方面进行介绍。书中有很多实验结果用来支持文中描述的物理概念，这使读者能够看到概念的真实性以及在实际技术中的重要应用，还有大量的章末问题能加强读者解决问题的能力。

• 510 1_ |a Fundamentals of nanoelectronics |z eng

• 606 0_ |a 纳米材料 |A Na Mi Cai Liao |x 电子器件 |j 英文

• 690 __ |a TN103 |v 4

• 701 _1 |a 汉森 |A Han Sen |4 著

• 801 _0 |a CN |b 安徽新华 |c 20131017

• 905 __ |a LIB |d TN103/8

• 915 __ |d TN103 |e 8 |b 2331896-7 |f 2