机读格式显示(MARC)

• 000 02128nam 2200337 450

• 001 0000801060

• 005 20250701195200.0

• 010 __ |a 978-7-111-76585-1 |d CNY129.00

• 100 __ |a 20250115d2025 em y0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c eng

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a a z 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a CMOS纳米电子学 |A CMOS na mi dian zi xue |e 模拟和射频超大规模集成电路 |d CMOS nanoelectronics |e analog and RF VLSI circuits |f (加)克日什托夫·伊涅夫斯基(Krzysztof Iniewski)主编 |g 张德明[等]译 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2025

• 215 __ |a 437页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 集成电路大师级系列 |A Ji Cheng Dian Lu Da Shi Ji Xi Lie

• 304 __ |a 译者还有：伍连博、张慧、郭志鹏、夏一宁

• 306 __ |a 翻译版权2024由麦格劳-希尔教育(新加坡)有限公司与机械工业出版社所有

• 314 __ |a 克日什托夫·伊涅夫斯基 (Krzysztof Iniewski)，博士，Redlen技术公司研发主管，CMOS新兴技术公司执行理事，资深电子工程师。张德明，博士，北京航空航天大学集成电路科学与工程学院副教授，博士生导师，入选中国博士后创新人才支持计划，山东省泰山学者青年专家。伍连博，博士，北京航空航天大学集成电路科学与工程学院副教授，博士生导师，国家级高层次青年人才。

• 330 __ |a 本书分为射频电路、高速电路和高精度电路三部分。射频电路部分介绍了纳米级CMOS电路设计面临的挑战、遇到的主要问题，以及射频收发机设计（包括混频器、局部振荡器、功率放大器等关键模块)，全数字射频信号发生器设计，倍频器、射频信号滤波器和功率放大器设计。高速电路部分介绍了串行输入/输出链路设计、锁相环和延迟锁相环的设计，以及数字时钟信号发生器的设计与实现。高精度电路部分介绍了纳米工艺下模拟电路设计的降噪技术、用于LCD的数/模转换器和1V以下CMOS带隙基准设计技术等。

• 461 _0 |1 2001 |a 集成电路大师级系列

• 510 1_ |a CMOS nanoelectronics |e analog and RF VLSI circuits |z eng

• 517 1_ |a 模拟和射频超大规模集成电路 |A mo ni he she pin chao da gui mo ji cheng dian lu

• 606 0_ |a 纳米材料 |A Na Mi Cai Liao |x CMOS电路 |x 超大规模集成电路 |x 电路设计

• 690 __ |a TN432.02 |v 5

• 701 _0 |c (加) |a 伊涅夫斯基 |A yi nie fu si ji |c (Iniewski, Krzysztof) |4 主编

• 702 _0 |a 张德明 |A zhang de ming |4 译

• 702 _0 |a 伍连博 |A wu lian bo |4 译

• 801 _0 |a CN |b LIB |c 20250701

• 905 __ |a LIB |d TN432.02/15