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• 010 __ |a 978-7-5114-4638-1 |d CNY35.00

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• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 低维氮化镓纳米材料掺杂改性及磁性机理 |A di wei dan hua jia na mi cai liao chan za gai xing ji ci xing ji li |f 陈国祥, 王豆豆著

• 210 __ |a 北京 |c 中国石化出版社 |d 2017

• 215 __ |a 106页 |c 图 |d 26cm

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书系统地研究了低维氮化镓纳米材料的稳定性、电子、磁性等性质。全书共包括7章：第1章为本书概述；第2章详细地介绍了一性原理方法；第3至第7章采用基于密度泛函框架下的一性原理系统研究了填充GaN纳米管、缺陷和掺杂GaN纳米带、吸附和掺杂GaN单层纳米片、二维GaN/SiC纳米片的稳定性、电子、磁学特性和磁性起源机理。

• 606 0_ |a 氮化镓 |A dan hua jia |x 纳米材料 |x 研究

• 690 __ |a TN304.2 |v 5

• 701 _0 |a 陈国祥 |A chen guo xiang |4 著

• 701 _0 |a 王豆豆 |A wang dou dou |4 著

• 801 _0 |a CN |b LIB |c 20181213

• 905 __ |a LIB |d TN304.2/9