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• 010 __ |a 978-7-5766-0153-4 |d CNY58.00

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• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 宽禁带功率半导体器件可靠性 |A kuan jin dai gong lv ban dao ti qi jian ke kao xing |f 孙伟锋 ... [等] 著

• 210 __ |a 南京 |c 东南大学出版社 |d 2024.9

• 215 __ |a 208页 |c 图 |d 26cm

• 300 __ |a 江苏省“十四五”时期重点出版物出版专项规划项目

• 304 __ |a 题名页题: 孙伟锋, 刘斯扬, 魏家行, 李胜, 张龙著

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书详细介绍了碳化硅、氮化镓功率器件在各类雪崩、短路、高温偏置等恶劣电热应力下的损伤机理, 并讲述了相关表征方法及寿命模型, 同时讨论了高可靠宽禁带器件新结构, 对宽禁带功率器件相关技术人员及学者具有较强的指导意义。

• 333 __ |a 本书可作为功率半导体相关专业的高年级本科生和研究生的教材

• 606 0_ |a 禁带 |A jin dai |x 半导体器件 |x 可靠性 |x 研究

• 690 __ |a TN303 |v 5

• 701 _0 |a 孙伟锋 |A sun wei feng |4 著

• 701 _0 |a 刘斯扬 |A liu si yang |4 著

• 701 _0 |a 魏家行 |A wei jia xing |4 著

• 801 _0 |a CN |b 湖北三新 |c 20241030