机读格式显示(MARC)

• 000 00979nam0 2200277 450

• 001 0000651871

• 005 20240510074600.0

• 010 __ |a 978-7-03-075191-1 |d CNY59.00

• 100 __ |a 20230516d2023 em y0chiy50 ea

• 101 0_ |a chi

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a a z 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 半导体材料 |A ban dao ti cai liao |f 张源涛，杨树人，徐颖编著

• 205 __ |a 4版

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2023

• 215 __ |a 257页 |c 图 |d 26cm

• 300 __ |a 普通高等教育电子科学与技术特色专业系列教材

• 330 __ |a 本书介绍了主要半导体材料硅、砷化镓等制备的基本原理和工艺，以及特性的控制等。全书共13章：硅和锗的化学制备；区熔提纯；晶体生长；为硅、锗晶体中的杂质和缺陷；硅外延生长；II-V族化合物半导体等。

• 606 0_ |a 半导体材料 |A Ban Dao Ti Cai Liao |x 高等学校 |j 教材

• 690 __ |a TN304 |v 3

• 701 _0 |a 张源涛 |A zhang yuan tao |4 编著

• 701 _0 |a 杨树人 |A yang shu ren |4 编著

• 701 _0 |a 徐颖 |A xu ying |4 编著

• 801 _0 |a CN |b 91MARC |c 20230525

• 905 __ |a LIB |d TN304/25