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• 000 02541nam 2200385 450

• 001 0000795598

• 005 20250617162700.0

• 010 __ |a 978-7-111-74962-2 |d CNY99.00

• 100 __ |a 20240320d2024 em y0chiy50 ea

• 101 0_ |a chi

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a ak a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 图解入门 |A tu jie ru men |e 半导体器件缺陷与失效分析技术精讲 |f (日) 可靠性技术丛书编辑委员会主编 |g (日) 二川清编著 |g (日) 上田修, 山本秀和著 |g 李哲洋 ... [等] 译

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2024.2

• 215 __ |a 159页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 集成电路科学与技术丛书 |A ji cheng dian lu ke xue yu ji shu cong shu

• 304 __ |a 题名页题: 李哲洋, 于乐, 汪久龙, 沈斌清, 张欣然等译

• 314 __ |a 山本秀和, 北海道大学研究生院工学研究科电气工学博士。在三菱电机从事Si-LSI及功率器件的研究开发。现任千叶工业大学教授, 从事功率器件和功率器件产品的分析技术研究。上田修, 东京大学工学部物理工学博士。1974-2005年, 在富士通研究所 (股份有限公司) 从事半导体中晶格缺陷的分析以及半导体发光器件、电子器件劣化机制阐明的研究。2005-2019年, 在金泽工业大学研究生院工学研究科任教授。现为明治大学客座教授。二川清, 大阪大学研究生院基础工学研究科物理系工学博士。在NEC和NEC电子从事半导体可靠性和失效分析技术的实际业务和研究开发。李哲洋, 博士生导师, 研究员, 现任怀柔实验室北京智慧能源研究院资深技术专家。毕业于南京大学物理学院, 获微电子与固体电子学博士学位, 主要研究方向为宽禁带半导体材料与器件。于乐, 博士, 副研究员, 毕业于南京大学电子科学与工程学院电子科学与技术专业。曾就职于华润微电子有限公司和南京大学, 主要从事半导体器件的工艺研究。目前在北京智慧能源研究院从事碳化硅外延技术相关工作。

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书共分为4章, 内容包括半导体器件的缺陷、失效分析技术概要, 硅集成电路 (LSI) 的失效分析技术, 功率器件的缺陷、失效分析技术, 化合物半导体发光器件的缺陷、失效分析技术。

• 333 __ |a 本书的读者包括半导体器件工艺及器件的相关技术人员, 可靠性技术人员, 失效分析技术人员, 试验、分析、实验的负责人, 以及大学生、研究生等

• 410 _0 |1 2001 |a 集成电路科学与技术丛书

• 517 1_ |a 入门 |A ru men

• 517 1_ |a 半导体器件缺陷与失效分析技术精讲 |A ban dao ti qi jian que xian yu shi xiao fen xi ji shu jing jiang

• 606 0_ |a 半导体工艺 |A ban dao ti gong yi |j 图解

• 690 __ |a TN305 |v 5

• 702 _0 |a 二川清 |A er chuan qing |4 编著

• 702 _0 |a 上田修 |A shang tian xiu |4 著

• 702 _0 |a 山本秀和 |A shan ben xiu he |4 著

• 702 _0 |a 李哲洋 |A li zhe yang |4 译

• 702 _0 |a 于乐 |A yu le |4 译

• 711 02 |a 可靠性技术丛书编辑委员会 |A ke kao xing ji shu cong shu bian ji wei yuan hui |4 主编

• 801 _0 |a CN |b 湖北三新 |c 20240320

• 905 __ |a LIB |d TN305/26