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• 010 __ |a 978-7-111-33083-7 |d CNY98.00

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• 200 1_ |a 纳米Cmos电路和物理设计 |A Na Mi Cmos Dian Lu He Wu Li She Ji |f (美) Ban P. Wong ... [等] 著 |g 辛维平 ... [等] 译

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2011

• 215 __ |a XIII, 345页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 国际信息工程先进技术译丛 |A Guo Ji Xin Xi Gong Cheng Xian Jin Ji Shu Yi Cong

• 304 __ |a 责任者Wong汉译姓: 王班

• 312 __ |a 原文题名取自版权页

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书将纳米工艺、器件可制造性、先进电路设计和相关物理实现整合到一起，形成了一套先进的半导体技术，探讨了器件和工艺的新发展，提供了设计考虑，重点关注了技术与设计的相互影响，并且描述了可制造性设计和波动性的影响。重要的主题包括纳米CMOS工艺缩小问题及其对设计的影响、亚波长光刻、运行问题的物理与理论以及解决方案、可制造性设计和波动性。

• 410 _0 |1 2001 |a 国际信息工程先进技术译丛

• 500 10 |a Nano Cmos Circuit and Physical Design |m Chinese

• 606 0_ |a 纳米材料 |A Na Mi Cai Liao |x 集成电路 |x 电路设计

• 690 __ |a TN432 |v 4

• 701 _0 |a 王班 |A Wang Ban |g (Wong, Ban P.) |4 著

• 702 _0 |a 李玉山 |A Li Yu Shan |4 译

• 702 _0 |a 辛维平 |A Xin Wei Ping |4 译

• 801 _0 |a CN |b 安徽新华 |c 20121130

• 905 __ |a ASTU |d TN432/12

• 915 __ |b 2199027-29 |d TN432 |e 12 |f 3