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• 010 __ |a 978-7-111-52318-5 |d CNY79.00

• 100 __ |a 20160407d2016 em y0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c eng

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• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 过电应力 (EOS) 器件、电路与系统 |A guo dian ying li ( EOS ) qi jian 、 dian lu yu xi tong |f (美) 史蒂文 H. 沃尔德曼著 |d = Electrical overstress (EOS): devices, circuits and systems |f Steven H. Voldman |g 雷鑑铭等译 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2016.03

• 215 __ |a XX, 286页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 国际电气工程先进技术译丛 |A guo ji dian qi gong cheng xian jin ji shu yi cong

• 306 __ |a 由Wiley授权出版

• 314 __ |a Steven H. Voldman博士由于在CMOS、SOI和SiGe工艺下的静电放电 (ESD) 保护方面所作出的贡献, 而成为了ESD领域的第一位IEEE Fellow。

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书系统地介绍了过电应力 (EOS) 器件、电路与系统设计, 并给出了大量实例, 将EOS理论工程化。主要内容有: EOS基础、EOS现象、EOS成因、EOS源、EOS物理及EOS失效机制 ; EOS电路与系统设计及EDA, 半导体器件、电路与系统中的EOS失效及EOS片上与系统设计。

• 410 _0 |1 2001 |a 国际电气工程先进技术译丛

• 500 10 |a Electrical overstress (EOS): devices, circuits and systems |A Electrical Overstress (Eos): Devices, Circuits And Systems |m Chinese

• 606 0_ |a 电子元件 |A dian zi yuan jian |x 过电流保护 |x 研究

• 606 0_ |a 电子元件 |A dian zi yuan jian |x 过电压保护 |x 研究

• 606 0_ |a 电子器件 |A dian zi qi jian |x 过电流保护 |x 研究

• 606 0_ |a 电子器件 |A dian zi qi jian |x 过电压保护 |x 研究

• 690 __ |a TN6 |v 5

• 701 _1 |a 沃尔德曼 |A wo er de man |g (Voldman, Steven H.) |4 著

• 702 _0 |a 雷鑑铭 |A lei jian ming |4 译

• 801 _0 |a CN |b 安徽时代 |c 20160407

• 905 __ |a LIB |d TN6/54