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• 200 1_ |a 相变存储器与应用基础 |A Xiang Bian Cun Chu Qi Yu Ying Yong Ji Chu |f 宋志棠著

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2013.9

• 215 __ |a 199页, [8] 页图版 |c 图 |d 25cm

• 320 __ |a 有书目和索引

• 330 __ |a 本书介绍了多种自主的新型相变材料, 介绍了双沟道外延二极管等方面的内容, 有望解决高密度、大容量、嵌入式PCRAM的技术难题, 对于实现高密度大容量PCRAM等具有重要的学术价值和应用价值, 有助于我国在信息技术领域取得突出的、有特色的进展, 获得重大经济效益。

• 606 0_ |a 相变 |A Xiang Bian |x 存储器 |x 研究

• 690 __ |a TP333 |v 4

• 701 _0 |a 宋志棠 |A Song Zhi Tang |4 著

• 801 _0 |a CN |b 安徽新华

• 905 __ |a LIB |d TP333/16