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- 000 01411nam0 2200289 450
- 010 __ |a 978-7-121-47453-8 |d CNY159.00
- 100 __ |a 20240508d2024 em y0chiy0110 ea
- 200 1_ |a CMOS射频集成电路设计 |A CMOS she pin ji cheng dian lu she ji |d The design of CMOS radio-frequency integrated circuits |f (美)Thomas H. Lee著 |g 余志平,周润德等译 |z eng
- 210 __ |a 北京 |c 电子工业出版社 |d 2024
- 215 __ |a 19,595页 |c 图 |d 26cm
- 330 __ |a 本书首先介绍了无线电发展历史和无线通信原理;在回顾集成电路元件特性、MOS器件物理和模型、RLC串并联和其他振荡网络及分布系统特点的基础上,介绍了史密斯圆图、S参数和带宽估计技术;说明了现代高频宽带放大器的设计方法,讨论了关键的射频电路模块,包括低噪声放大器(LNA)、基准电压源、混频器、射频功率放大器、振荡器和频率合成器,书中对于射频集成电路中存在的各类噪声及噪声特性(包括振荡电路中的相位噪声)进行了探讨,最后考察了收发器的总体结构并展望了射频电路未来发展的前景。
- 510 1_ |a Design of CMOS radio-frequency integrated circuits |z eng
- 701 _0 |c (美) |a 李 |A li |c (Lee, Thomas H.) |4 著
- 702 _0 |a 余志平 |A yu zhi ping |f (1944-) |4 译
- 702 _0 |a 周润德 |A zhou run de |f (1945-) |4 译
- 801 _0 |a CN |b 辽批 |c 20240719