机读格式显示(MARC)

• 000 01160nam0 2200277 450

• 001 0000658497

• 005 20240531210000.0

• 010 __ |a 978-7-5669-2213-7 |d CNY45.00

• 100 __ |a 20230629d2023 em y0chiy50 ea

• 101 0_ |a chi

• 102 __ |a CN |b 310000

• 105 __ |a a a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 集成电路工艺实验基础 |A ji cheng dian lu gong yi shi yan ji chu |f 石建军, 郭颖主编

• 210 __ |a 上海 |c 东华大学出版社 |d 2023

• 215 __ |a 164页 |c 图 |d 26cm

• 320 __ |a 有书目 (第164页)

• 330 __ |a 本书分3章, 共26个实验, 第1章为基础工艺, 包含真空技术、硅片的清洗及氧化、光刻工艺流程实验教学、氧等离子体刻蚀等 ; 第2章为检测测量技术, 包含MSFET器件特性的测量与分析、椭圆偏振仪测薄膜厚度、紫外可见分光光度计测量亚甲基蓝溶液浓度等 ; 第3章为工艺基础及应用, 包含表面波等离子体放电实验、脉冲放电等离子体特性实验、低气压容性耦合等离子体特性实验等。

• 333 __ |a 高等教育“十四五”部委级规划教材

• 606 0_ |a 集成电路工艺 |A ji cheng dian lu gong yi |x 实验 |x 高等教育 |j 教材

• 690 __ |a TN405-33 |v 5

• 690 __ |a TN405 |v 4

• 701 _0 |a 石建军 |A shi jian jun |4 主编

• 701 _0 |a 郭颖 |A guo ying |4 主编

• 801 _0 |a CN |b 安徽时代 |c 20230629

• 905 __ |a LIB |d TN405/29