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• 000 01162nam0 22002651 450

• 001 0000512160

• 005 20200911101200.0

• 010 __ |a 978-7-03-061162-8 |b 精装 |d CNY168.00

• 100 __ |a 20190905d2019 em y0chiy0110 ea

• 101 0_ |a chi

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a y z 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 晶体生长中输运现象及晶体缺陷 |A jing ti sheng zhang zhong shu yun xian xiang ji jing ti que xian |f 方海生, 刘胜著

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2019

• 215 __ |a 364页 |d 24cm

• 330 __ |a 本书主要介绍了晶体生长技术及相关晶体缺陷，结合计算流体力学数值模拟和实验研究，系统的从热流体输运、化学反应等方面阐明了晶体生长技术的要点和优化方法。为了读者更系统的了解晶体缺陷的理论和研究方法，本书也详细介绍了分子动力学和第一性原理的研究策略，并应用于晶体缺陷的研究。本书的研究涵盖了宏观和微观的研究方法和理论，把传统的工程热物理理论知识应用到国际前沿领域的研究中，促进了传统学科的发展。

• 606 0_ |a 晶体生长 |A Jing Ti Sheng Zhang |x 输运过程

• 606 0_ |a 晶体缺陷 |A Jing Ti Que Xian

• 690 __ |a O78 |v 5

• 690 __ |a O77 |v 5

• 701 _0 |a 方海生 |A fang hai sheng |4 著

• 701 _0 |a 刘胜 |A liu sheng |4 著

• 801 _0 |a CN |b 辽批 |c 20190905

• 905 __ |a LIB |d O78/5