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• 000 01617nam2 2200433 4500

• -01 __gzk0318842

• -09 __zyk0202123

• -98 __bm4

• -99 __tsg01

• 001 0000202098

• 005 20101124102430.5

• 010 __ |a 978-7-03-026969-0 |b 精装 |d CNY135.00

• 100 __ |a 20100506e20102008em y0chiy0110 ba

• 101 0_ |a eng

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a ak a 001yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a Characterization of semiconductor heterostructures and nanostructures |d = 半导体异质结构与纳米结构表征 |f (意)兰伯蒂(Carlo Lamberti) |z chi

• 205 __ |a 英文影印版

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2010

• 215 __ |a 486页 |c 图 |d 25cm

• 225 0_ |a 科爱传播 |9 ke ai chuan bo |i 化学化工 |e 导读版 |i 纳米科学进展系列

• 306 __ |a 本书英文影印版由Elsevier (Singapore) Pte Ltd.授权科学出版社在中国大陆境内独家发行

• 314 __ |a 责任者Lamberti规范汉译姓: 兰伯蒂

• 320 __ |a 有书目和索引

• 330 __ |a 本书主要讨论了用于确定半导体量子阱和超晶格结构性质 (结构、物理, 化学、电气等) 的专门表征技术。此外, 介绍了采用第一原理进行的模拟、建模方法, 以及异质结构的电学与光学特性。

• 461 _0 |1 2001 |a 科爱传播

• 462 _0 |1 2001 |a 化学化工 (导读版)

• 462 _0 |1 2001 |a 纳米科学进展系列

• 510 1_ |a = 半导体异质结构与纳米结构表征 |z chi

• 606 0_ |a 半导体材料 |9 ban dao ti cai liao |x 异质结 |x 英文

• 606 0_ |a 半导体材料 |9 ban dao ti cai liao |x 纳米材料 |x 结构 |x 英文

• 606 0_ |a 半导体材料 |9 ban dao ti cai liao

• 606 0_ |a 异质结 |9 yi zhi jie

• 690 __ |a TN304 |v 4

• 701 _1 |c (意) |a 兰伯蒂 |9 lan bo di |g (Lamberti, Carlo) |4 著

• 801 __ |c 20101118

• 905 __ |a ASTU |d TN304/3

• 915 __ |a ASTU |d TN304 |e 3 |b 1704962