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• 010 __ |a 978-7-121-44206-3 |d CNY119.00

• 100 __ |a 20230420d2022 em y0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c ita

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• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 电子器件的电离辐射效应 |A dian zi qi jian de dian li fu she xiao ying |e 从存储器到图像传感器 |d = Ionizing radiation effects in electronics |e from memories to imagers |f (意) Marta Bagatin, Simone Gerardin主编 |g 毕津顺 ... [等] 译 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 电子工业出版社 |d 2022.09

• 215 __ |a 20, 299页 |c 图 |d 26cm

• 225 2_ |a 国防电子信息技术丛书 |A guo fang dian zi xin xi ji shu cong shu |i 集成电路辐射效应与加固技术系列

• 306 __ |a 由 Taylor & Francis出版集团旗下, CRC出版公司授权出版

• 314 __ |a Bagatin责任者规范汉译姓: 巴吉安 Gerardin责任者规范汉译姓: 杰拉尔丁

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书完整地涵盖了先进半导体的电离辐射效应, 深入探讨了抗辐射加固技术。首先介绍辐射效应的重要背景知识、物理机制、仿真辐射输运的蒙特卡罗技术和电子器件的辐射效应。重点阐述以下内容: 商用数字集成电路的辐射效应, 包括微处理器、易失性存储器 (SRAM和DRAM) 和快闪存储器, 数字电路、现场可编程门阵列 (FPGA) 和混合模拟电路中的软错误效应、总剂量效应、位移损伤效应和设计加固解决方案 ; 纤维光学和成像器件 (包括CMs图像传感器和电荷耦合器件CCD) 的辐射效应。

• 410 _0 |1 2001 |a 国防电子信息技术丛书

• 510 1_ |a Ionizing radiation effects in electronics |e from memories to imagers |z eng

• 517 1_ |a 从存储器到图像传感器 |A cong cun chu qi dao tu xiang chuan gan qi

• 606 0_ |a 电子器件 |A dian zi qi jian |x 电离辐射 |x 研究

• 690 __ |a TN6 |v 5

• 701 _1 |a 巴吉安 |A ba ji an |g (Bagatin, Marta) |4 主编

• 701 _1 |a 杰拉尔丁 |A jie la er ding |g (Gerardin, Simone) |4 主编

• 702 _0 |a 毕津顺 |A bi jin shun |4 译

• 801 _0 |a CN |b 辽批 |c 20230426

• 905 __ |a LIB |d TN6/78