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• 005 20181212132100.0

• 010 __ |a 978-7-5693-0218-9 |d CNY128.00

• 100 __ |a 20180321d2017 em y0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c eng

• 102 __ |a CN |b 610000

• 105 __ |a ak a 001yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 半导体材料与器件表征 |A ban dao ti cai liao yu qi jian biao zheng |f (美) 迪特尔·K·施罗德著 |d = Semiconductor material and device characterization |f Dieter K. Schroder |g 徐友龙 ... [等] 译 |z eng

• 210 __ |a 西安 |c 西安交通大学出版社 |d 2017.12

• 215 __ |a 10, 714页 |c 图 |d 26cm

• 225 2_ |a 国外名校最新教材精选 |A guo wai ming xiao zui xin jiao cai jing xuan

• 305 __ |a 据原书第3版译出

• 320 __ |a 有书目和索引

• 330 __ |a 本书分十二章, 内容包括: 电阻率 ; 载流子与掺杂浓度 ; 接触电阻和肖特基势垒 ; 串联电阻, 沟道长度与宽度, 阈值电压 ; 缺陷 ; 栅氧电荷、界面陷阱电荷和栅氧厚度 ; 载流子寿命 ; 迁移率 ; 基于电荷和探针的表征技术等。

• 410 _0 |1 2001 |a 国外名校最新教材精选

• 500 10 |a Semiconductor material and device characterization |A Semiconductor Material And Device Characterization |m Chinese

• 606 0_ |a 半导体材料 |A ban dao ti cai liao |x 研究

• 606 0_ |a 半导体器件 |A ban dao ti qi jian |x 研究

• 690 __ |a TN304 |v 5

• 690 __ |a TN303 |v 5

• 701 _1 |a 施罗德 |A shi luo de |g (Schroder, Dieter K.) |4 著

• 702 _0 |a 徐友龙 |A xu you long |4 译

• 801 _0 |a CN |b 安徽时代 |c 20180321

• 905 __ |a LIB |d TN304/12