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• 010 __ |a 978-7-5478-0980-8 |d CNY85.00

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• 200 1_ |a MOS集成电路工艺与制造技术 |A MOSji cheng dian lu gong yi yu zhi zao ji shu |f 潘桂忠编著

• 210 __ |a 上海 |c 上海科学技术出版社 |d 2012.6

• 215 __ |a 489页 |c 图 |d 26cm

• 314 __ |a 潘桂忠, 1959年毕业于南京大学物理系半导体物理专业, 高级工程师, 贝岭微电子公司原技术工程部经理。

• 320 __ |a 有书目 (第489页)

• 330 __ |a 本书全面介绍了MOS集成电路工艺和制造技术。内容包括: 硅晶圆衬底, 氧化, 扩散, 离子注入, 外延, 化学汽相淀积, 光刻, 付蚀与刻蚀等, PNOS, NMOS, CMOS, LV HV兼容CMOS等制造工艺。

• 606 0_ |a MOS基础电路 |A MOSji chu dian lu |x 基础电路工艺

• 690 __ |a TN432.05 |v 4

• 701 _0 |a 潘桂忠, |A pan gui zhong |f 1959- |4 编著

• 801 _0 |a CN |b 安徽新华 |c 20121201

• 905 __ |a ASTU |d TN432.05/1

• 915 __ |b 2197763-5 |d TN432.05 |e 1 |f 3