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• 005 20250701201200.0

• 010 __ |a 978-7-111-74188-6 |d CNY189.00

• 100 __ |a 20240126d2024 em y0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c eng

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a a z 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 碳化硅器件工艺核心技术 |A tan hua gui qi jian gong yi he xin ji shu |f (希)康斯坦丁·泽肯特斯，(英)康斯坦丁·瓦西列夫斯基等著 |g 贾护军，段宝兴，单光宝译

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2024

• 215 __ |a 16,411页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 半导体与集成电路关键技术丛书 |A Ban Dao Ti Yu Ji Cheng Dian Lu Guan Jian Ji Shu Cong Shu

• 312 __ |a 封面英文题名：Advancing silicon carbide electronics technology

• 314 __ |a 康斯坦丁·泽肯特斯，希腊研究与技术基金会 (FORTH) 微电子研究小组 (MRG) 高级研究员，以及微电子电磁与光子等实验室访问研究员。康斯坦丁·瓦西列夫斯基，英国纽卡斯尔大学工程学院高级研究员。他目前的研究领域是宽禁带半导体技术，以及石墨烯生长和表征技术。贾护军，西安电子科技大学教授、博士生导师，长期从事新型半导体材料与器件方面的教学和科研工作，发表相关论文七十余篇，授权发明专利二十余项，出版专著三部。段宝兴，西安电子科技大学教授、博士生导师，从事新型功率半导体器件设计及集成技术研究，发表相关论文八十余篇，授权发明专利五十余项，出版专著三部。单光宝，西安电子科技大学教授、博士生导师，中国惯性技术协会常务理事、国家部委重点项目首席科学家，长期从事集成电路与微系统教学和科研工作，发表相关论文五十余篇，授权发明专利二十余项，出版专著一部、译著一部。

• 330 __ |a 本书共9章，以碳化硅（SiC）器件工艺为核心，重点介绍了SiC材料生长、表面清洗、欧姆接触、肖特基接触、离子注入、干法刻蚀、电解质制备等关键工艺技术，以及高功率SiC单极和双极开关器件、SiC纳米结构的制造和器件集成等，每一部分都涵盖了上百篇相关文献，以反映这些方面的最新成果和发展趋势。

• 461 _0 |1 2001 |a 半导体与集成电路关键技术丛书

• 510 1_ |a Advancing silicon carbide electronics technology |z eng

• 606 0_ |a 功率半导体器件 |A Gong Lv Ban Dao Ti Qi Jian |x 研究

• 690 __ |a TN303 |v 5

• 701 _0 |c (希) |a 泽肯特斯 |A ze ken te si |c (Zekentes, Konstantinos) |4 著

• 701 _0 |c (英) |a 瓦西列夫斯基 |A wa xi lie fu si ji |c (Vasilevskiy, Konstantin) |4 著

• 702 _0 |a 贾护军 |A jia hu jun |4 译

• 702 _0 |a 段宝兴 |A duan bao xing |4 译

• 702 _0 |a 单光宝 |A shan guang bao |4 译

• 801 _0 |a CN |b LIB |c 20250701

• 905 __ |a LIB |d TN303/54