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• 010 __ |a 978-7-111-47572-9 |d CNY89

• 100 __ |a 20150324d2015 ekmy0chiy50 ea

• 200 __ |a 电力电子新器件及其制造技术 |A Dian Li Dian Zi Xin Qi Jian Ji Qi Zhi Zao Ji Shu |f 王彩琳编著

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社

• 330 __ |a 本书介绍了电力半导体器件的结构、原理、特性、设计、制造工艺、可靠性与失效机理、应用共性技术及数值模拟方法。全书内容涉及功率二极管、晶闸管及其集成器件（包括GTO晶闸管、集成门极换流晶闸管（IGCT）、功率MOSFET、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）,以及电力半导体器件的功率集成技术、结终端技术、制造技术、共性应用技术、数值分析与模拟技术:重点对GTO的单位电流增益、IGCT的透明阳极和波状基区,功率MOSFET的超结及IGBT的发射极电子注入增强（IE）等新技术进行了详细介绍。

• 333 __ |a 高等院校相关专业学生,电力电子工程技术人员

• 690 __ |a TN303

• 801 _0 |a CN |b LIB |c 20151110