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• 010 __ |a 978-7-111-76538-7 |d CNY39.80

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• 200 1_ |a 宽禁带功率半导体器件建模与应用 |A kuan jin dai gong lv ban dao ti qi jian jian mo yu ying yong |f 肖龙著

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2024

• 215 __ |a 157页 |c 图 |d 26cm

• 312 __ |a 封面英文题名：Modeling and application wide bandgap semiconductor power devices

• 330 __ |a 本书详细地阐述了宽禁带功率半导体器件的发展现状、电热行为模型建模方法与模型参数提取优化算法、开通和关断过电压问题分析和抑制方法、串扰导通问题机理与抑制方法。通过LLC变换器展示了如何借助宽禁带器件电热行为模型完成功率变换器硬件优化设计和控制算法的仿真验证，并分析了平面磁集成矩阵变压器的优化设计方法，建立了LLC变换器小信号模型，提出并验证了基于LLC变换器小信号模型的输出电流纹波抑制方法。附录提供了基于AnsysQ3D的电路板寄生参数提取方法、宽禁带器件电热行为模型建模方法、遗传算法和列文伯格-麦夸尔特算法组成的复合优化算法实现、LLC变换器小信号模型建模方法。

• 510 1_ |a Modeling and application wide bandgap semiconductor power devices |z eng

• 606 0_ |a 半导体器件 |A Ban Dao Ti Qi Jian |x 系统建模

• 690 __ |a TN303 |v 5

• 701 _0 |a 肖龙 |A xiao long |4 著

• 801 _0 |a CN |b LIB |c 20250701

• 905 __ |a LIB |d TN303/48