机读格式显示(MARC)

• 000 01650nam 2200349 450

• 001 0000791589

• 005 20250615091800.0

• 010 __ |a 978-7-5767-0544-7 |b 精装 |d CNY128.00

• 100 __ |a 20231227d2023 em y0chiy50 ea

• 101 0_ |a chi

• 102 __ |a CN |b 230000

• 105 __ |a ak a 001yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 半导体材料及器件辐射缺陷与表征方法 |A ban dao ti cai liao ji qi jian fu she que xian yu biao zheng fang fa |d = Characterization methods for radiation induced defects in semiconductor materials and devices |f 李兴冀 ... 等编著 |z eng

• 210 __ |a 哈尔滨 |c 哈尔滨工业大学出版社 |d 2023.7

• 215 __ |a 401页 |c 图 (部分彩图) |d 25cm

• 225 2_ |a 材料与器件辐射效应及加固技术研究著作 |A cai liao yu qi jian fu she xiao ying ji jia gu ji shu yan jiu zhu zuo

• 300 __ |a 国家出版基金项目 国家出版基金资助项目

• 304 __ |a 题名页题: 李兴冀, 杨剑群, 徐晓东, 应涛等编著

• 320 __ |a 有书目和索引

• 330 __ |a 本书共分为4章, 系统阐述了辐射诱导半导体缺陷的相关理论、数值模拟方法、表征技术及应用。

• 333 __ |a 本书可供从事航天技术研究的专业人员和相关应用领域的科技人员参考, 也可作为高等院校航空宇航科学与技术、空间科学、材料物理和集成电路学科的研究生教材

• 410 _0 |1 2001 |a 材料与器件辐射效应及加固技术研究著作

• 510 1_ |a Characterization methods for radiation induced defects in semiconductor materials and devices |z eng

• 606 0_ |a 半导体材料 |A ban dao ti cai liao |x 研究

• 606 0_ |a 半导体器件 |A ban dao ti qi jian |x 研究

• 690 __ |a TN304 |v 5

• 701 _0 |a 李兴冀 |A li xing ji |4 编著

• 701 _0 |a 杨剑群 |A yang jian qun |4 编著

• 701 _0 |a 徐晓东 |A xu xiao dong |4 编著

• 801 _0 |a CN |b 湖北三新 |c 20231227

• 905 __ |a LIB |d TN304/32