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MARC状态:审校 文献类型:中文图书 浏览次数:3

题名/责任者:
CMOS纳米电子学:模拟和射频超大规模集成电路/(加)克日什托夫·伊涅夫斯基(Krzysztof Iniewski)主编 张德明[等]译
出版发行项:
北京:机械工业出版社,2025
ISBN及定价:
978-7-111-76585-1/CNY129.00
载体形态项:
437页:图;24cm
并列正题名:
CMOS nanoelectronics:analog and RF VLSI circuits
其它题名:
模拟和射频超大规模集成电路
丛编项:
集成电路大师级系列
个人责任者:
(加) 伊涅夫斯基 (Iniewski, Krzysztof) 主编
个人次要责任者:
张德明
个人次要责任者:
伍连博
学科主题:
纳米材料-CMOS电路-超大规模集成电路-电路设计
中图法分类号:
TN432.02
题名责任附注:
译者还有:伍连博、张慧、郭志鹏、夏一宁
出版发行附注:
翻译版权2024由麦格劳-希尔教育(新加坡)有限公司与机械工业出版社所有
责任者附注:
克日什托夫·伊涅夫斯基 (Krzysztof Iniewski),博士,Redlen技术公司研发主管,CMOS新兴技术公司执行理事,资深电子工程师。张德明,博士,北京航空航天大学集成电路科学与工程学院副教授,博士生导师,入选中国博士后创新人才支持计划,山东省泰山学者青年专家。伍连博,博士,北京航空航天大学集成电路科学与工程学院副教授,博士生导师,国家级高层次青年人才。
提要文摘附注:
本书分为射频电路、高速电路和高精度电路三部分。射频电路部分介绍了纳米级CMOS电路设计面临的挑战、遇到的主要问题,以及射频收发机设计(包括混频器、局部振荡器、功率放大器等关键模块),全数字射频信号发生器设计,倍频器、射频信号滤波器和功率放大器设计。高速电路部分介绍了串行输入/输出链路设计、锁相环和延迟锁相环的设计,以及数字时钟信号发生器的设计与实现。高精度电路部分介绍了纳米工艺下模拟电路设计的降噪技术、用于LCD的数/模转换器和1V以下CMOS带隙基准设计技术等。
全部MARC细节信息>>
索书号 条码号 年卷期 校区—馆藏地 书刊状态 还书位置
TN432.02/15 S4021705   总馆—滁州校区自然书库     新书:正在上架 滁州校区自然书库
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