MARC状态：审校 文献类型：中文图书 浏览次数：15
- 题名/责任者:
- 纳米级场效应晶体管建模与结构优化研究/靳晓诗，刘溪著
- 出版发行项:
- 北京:清华大学出版社,2017
- ISBN及定价:
- 978-7-302-47779-2/CNY68.00
- 载体形态项:
- 241页:图;26cm
- 个人责任者:
- 靳晓诗 著
- 个人责任者:
- 刘溪 著
- 学科主题:
- 场效应晶体管-建立模型-研究
- 学科主题:
- 场效应晶体管-优化结构-研究
- 中图法分类号:
- TN3
- 提要文摘附注:
- 本书内容包括：纳米级场效应晶体管寄生电容模型、传统纳米级金属氧化物半导体场效应晶体管机理模型、新兴无结型场效应晶体管机理模型以及无结型场效应晶体管的结构优化。在建模的过程中，充分考虑了器件的具体结构和掺杂浓度等参数对器件工作特性的影响，系统建立了具有双栅、围栅等多栅结构的纳米级场效应晶体管的机理模型体系，并给出了深纳米级尺度下新兴无结场效应晶体管的优化方案。
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| 索书号 | 条码号 | 年卷期 | 校区—馆藏地 | 书刊状态 |
| TN3/4 | S3251718 | - | 总馆—工业技术书库（龙湖） | 可借 |
| TN3/4 | S3251719 | - | 总馆—工业技术书库（龙湖） | 可借 |
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