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题名/责任者:

过电应力 (EOS) 器件、电路与系统/(美) 史蒂文 H. 沃尔德曼著 雷鑑铭等译

出版发行项:

北京:机械工业出版社,2016.03

ISBN及定价:

978-7-111-52318-5/CNY79.00

载体形态项:

XX, 286页:图;24cm

统一题名:

Electrical overstress (EOS): devices, circuits and systems

丛编项:

国际电气工程先进技术译丛

个人责任者:

沃尔德曼 (Voldman, Steven H.) 著

个人次要责任者:

雷鑑铭 译

学科主题:

电子元件-过电流保护-研究

学科主题:

电子元件-过电压保护-研究

学科主题:

电子器件-过电流保护-研究

学科主题:

电子器件-过电压保护-研究

中图法分类号:

TN6

出版发行附注:

由Wiley授权出版

责任者附注:

Steven H. Voldman博士由于在CMOS、SOI和SiGe工艺下的静电放电 (ESD) 保护方面所作出的贡献, 而成为了ESD领域的第一位IEEE Fellow。

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书系统地介绍了过电应力 (EOS) 器件、电路与系统设计, 并给出了大量实例, 将EOS理论工程化。主要内容有: EOS基础、EOS现象、EOS成因、EOS源、EOS物理及EOS失效机制 ; EOS电路与系统设计及EDA, 半导体器件、电路与系统中的EOS失效及EOS片上与系统设计。

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