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题名/责任者:

碳化硅半导体材料与器件/(美)鲁缅采夫,(俄)莱温施泰因主编 杨银堂, 贾护军, 段宝兴译

出版发行项:

北京:电子工业出版社,2012

ISBN及定价:

978-7-121-17755-2/CNY59.00

载体形态项:

332页:图;26cm

统一题名:

SiC materials and devices

丛编项:

国外电子与通信教材系列

个人责任者:

莱温施泰因 主编

个人责任者:

鲁缅采夫 主编

个人责任者:

舒尔 (Shur, Michael) 主编

个人责任者:

莱温施泰因 (Levinshtein, Michael) 主编

个人责任者:

鲁缅采夫 (Rumyantsev, Sergey) 主编

个人次要责任者:

贾护军 译

个人次要责任者:

段宝兴 译

个人次要责任者:

杨银堂 译

学科主题:

化合物半导体-半导体材料-教材

学科主题:

化合物半导体-半导体器件-教材

中图法分类号:

TN304.2

版本附注:

据World Scientifie Publishing Co. Pte Ltd.2006年英文版译出

出版发行附注:

由World Scientifie Publishing Co. Pte Ltd.授权电子工业出版社出版

责任者附注:

责任者Shur规范汉译姓: 舒尔 ; 责任者Rumyantsev规范汉译姓: 鲁缅采夫 ; 责任者Levinshtein规范汉译姓: 莱温施泰因

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书主要论述了SiC材料与器件中的相关基础理论，内容包括：SiC材料特性、SiC同质外延和异质外延、SiC欧姆接触、肖特基势垒二极管、大功率PiN整流器、SiC：微波二极管、SiC晶闸管、SiC静态感应晶体管、SiC衬底材料生长、SiC深能级缺陷、SiC结型场效应晶体管，以及SiC BJT等。

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