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题名/责任者:

氮化镓半导体材料及器件/张进成 ... [等] 著

出版发行项:

西安:西安电子科技大学出版社,2024.10

ISBN及定价:

978-7-5606-7385-1 精装/CNY108.00

载体形态项:

329页, [4] 页图版:图 (部分彩图);25cm

并列正题名:

Gallium nitride semiconductor materials and devices

丛编项:

宽禁带半导体前沿丛书

个人责任者:

张进成 著

个人责任者:

许晟瑞 著

个人责任者:

张雅超 著

学科主题:

氮化镓-半导体材料

中图法分类号:

TN304

题名责任附注:

题名页题: 张进成, 许晟瑞, 张雅超, 陶鸿昌, 张涛等著

提要文摘附注:

本书通过理论介绍与具体实验范例相结合的方式对氮化物半导体材料的测试表征技术进行了介绍, 并以氮化物材料为基础系统地介绍了目前广泛应用的氮化物光电与电子器件, 使读者能够充分了解二者之间内在的联系与区别。全书共8章, 包括氮化物材料基本特性及外延生长技术、新型氮化物异质结构设计及制备、氮化物材料的测试表征技术、氮化物蓝光LED材料与器件、氮化物紫外和深紫外LED材料与器件、氮化镓基二极管、氮化镓基三极管。

使用对象附注:

本书可作为微电子器件领域本科生和研究生的入门参考资料, 也可供在相关领域从事科研和研发的从业人员参考

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