MARC状态：订购 文献类型：中文图书 浏览次数：3
- 题名/责任者:
- 宽禁带功率半导体器件可靠性/孙伟锋[等]著
- 出版发行项:
- 南京:东南大学出版社,2024
- ISBN及定价:
- 978-7-5766-0153-4/CNY58.00
- 载体形态项:
- 208页:图;26cm
- 个人责任者:
- 孙伟锋 著
- 学科主题:
- 禁带-半导体器件-可靠性-研究
- 中图法分类号:
- TN303
- 一般附注:
- 江苏省“十四五”时期重点出版物出版专项规划项目
- 题名责任附注:
- 著者还有：刘斯扬、魏家行、李胜、张龙
- 提要文摘附注:
- 本书详细介绍了碳化硅、氮化镓功率器件在各类雪崩、短路、高温偏置等恶劣电热应力下的损伤机理，并讲述了相关表征方法及寿命模型，同时讨论了高可靠宽禁带器件新结构，对宽禁带功率器件相关技术人员及学者具有较强的指导意义。
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