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MARC状态:审校 文献类型:中文图书 浏览次数:13

题名/责任者:
CMOS芯片结构与制造技术/潘桂忠编著
出版发行项:
北京:电子工业出版社,2021.12
ISBN及定价:
978-7-121-42500-4/CNY158.00
载体形态项:
XV, 358页:图;26cm
并列正题名:
Complementary metal oxide semiconductor
丛编项:
集成电路基础与实践技术丛书
个人责任者:
潘桂忠 编著
学科主题:
CMOS电路-芯片-生产工艺
中图法分类号:
TN430.5
一般附注:
工信学术出版基金
相关题名附注:
英文题名取自封面
书目附注:
有书目
提要文摘附注:
本书从CMOS芯片结构技术出发, 系统地介绍了微米﹑亚微米﹑深亚微米及纳米CMOS制造技术, 内容包括单阱CMOS﹑双阱CMOS﹑LV/HV兼容CMOS﹑BiCMOS﹑LV/HV兼容BiCMOS, 以及LV/HV兼容BCD制造技术。全书各章都采用由CMOS芯片主要元器件﹑制造技术及主要参数所组成的综合表, 从芯片结构出发, 利用计算机和它所提供的软件, 描绘出芯片制造的各工序剖面结构, 从而得到制程剖面结构。书中给出了100种典型CMOS芯片结构, 介绍了各种典型制造技术, 并描绘出50种制程剖面结构。深入地了解芯片制程剖面结构, 对于电路设计﹑芯片制造﹑良率提升﹑产品质量提高及电路失效分析等都是十分重要的。
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索书号 条码号 年卷期 校区—馆藏地 书刊状态 还书位置
TN430.5/8 S3434713   总馆—工业技术书库(龙湖)     可借 工业技术书库(龙湖)
TN430.5/8 S3434714   总馆—工业技术书库(龙湖)     可借 工业技术书库(龙湖)
TN430.5/8 S3434715   总馆—工业技术书库(龙湖)     可借 工业技术书库(龙湖)
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