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题名/责任者:

图解入门:半导体器件缺陷与失效分析技术精讲/(日) 可靠性技术丛书编辑委员会主编 (日) 二川清编著

出版发行项:

北京:机械工业出版社,2024.2

ISBN及定价:

978-7-111-74962-2/CNY99.00

载体形态项:

159页:图;24cm

其它题名:

入门

其它题名:

半导体器件缺陷与失效分析技术精讲

丛编项:

集成电路科学与技术丛书

个人次要责任者:

二川清 编著

个人次要责任者:

上田修 著

个人次要责任者:

山本秀和 著

个人次要责任者:

李哲洋 译

个人次要责任者:

于乐 译

团体责任者:

可靠性技术丛书编辑委员会 主编

学科主题:

半导体工艺-图解

中图法分类号:

TN305

题名责任附注:

题名页题: 李哲洋, 于乐, 汪久龙, 沈斌清, 张欣然等译

责任者附注:

山本秀和, 北海道大学研究生院工学研究科电气工学博士。在三菱电机从事Si-LSI及功率器件的研究开发。现任千叶工业大学教授, 从事功率器件和功率器件产品的分析技术研究。上田修, 东京大学工学部物理工学博士。1974-2005年, 在富士通研究所 (股份有限公司) 从事半导体中晶格缺陷的分析以及半导体发光器件、电子器件劣化机制阐明的研究。2005-2019年, 在金泽工业大学研究生院工学研究科任教授。现为明治大学客座教授。二川清, 大阪大学研究生院基础工学研究科物理系工学博士。在NEC和NEC电子从事半导体可靠性和失效分析技术的实际业务和研究开发。李哲洋, 博士生导师, 研究员, 现任怀柔实验室北京智慧能源研究院资深技术专家。毕业于南京大学物理学院, 获微电子与固体电子学博士学位, 主要研究方向为宽禁带半导体材料与器件。于乐, 博士, 副研究员, 毕业于南京大学电子科学与工程学院电子科学与技术专业。曾就职于华润微电子有限公司和南京大学, 主要从事半导体器件的工艺研究。目前在北京智慧能源研究院从事碳化硅外延技术相关工作。

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书共分为4章, 内容包括半导体器件的缺陷、失效分析技术概要, 硅集成电路 (LSI) 的失效分析技术, 功率器件的缺陷、失效分析技术, 化合物半导体发光器件的缺陷、失效分析技术。

使用对象附注:

本书的读者包括半导体器件工艺及器件的相关技术人员, 可靠性技术人员, 失效分析技术人员, 试验、分析、实验的负责人, 以及大学生、研究生等

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