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Online Public Access Catalogue

题名/责任者:

Studies on plasma assisted molecular beam epitaxial growth of GaN-based multilayer heterostructures on Si for photodetector application/郑益著

出版发行项:

镇江:江苏大学出版社,2020

ISBN及定价:

978-7-5684-1424-1/CNY38.00

载体形态项:

195页:图;22cm

并列正题名:

硅基氮化镓光电探测器的多层异质外延生长研究

丛编项:

光电材料器件测试及控制技术系列丛书

个人责任者:

郑益 著

学科主题:

硅基材料-氮化镓-光电探测器-研究-英文

中图法分类号:

TN215

出版发行附注:

常州市国际合作计划项目 (CZ20180015) 江苏省品牌专业二期建设项目 (苏教高函 [2020] 9号) 江苏省第16批“六大人才高峰”高层次人才培养对象 (XCL-152) 常州工学院自然科学基金资助项目 (E3-6207-20-037) 资助出版

责任者附注:

郑益, 江苏常州人, 本科毕业于吉林大学微电子系, 硕士、博士就读于新加坡南洋理工大学电气与电子工程学院。

书目附注:

有书目 (第155-193页)

提要文摘附注:

本书为英文图书, 研究了氮化铝缓冲层对氮化镓外延层表面形貌和晶体质量的影响, 讨论了氮化镓异质外延生长中镓扩散到硅衬底中并溶解形成镓-硅合金的途径, 最终经过优化得以实现利用等离子辅助分子束外延在硅 (111) 衬底上生长出无微晶的光滑氮化镓外延层。作者在优化过程中发现了非晶氮化硅薄层在镓/硅扩散中的阻挡缓冲作用, 并利用此缓冲层优化了氮化铝镓的外延生长, 最终实现了总厚度高达1.4μm氮化镓和氮化铝镓无裂纹外延层的生长。

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